A Samsung Electronics a flashmemória új generációján dolgozik: egyetlen, általános célú SSD-megoldás helyett három, kifejezetten AI-feladatokra optimalizált NAND-tárolót fejleszt. A vállalat az alkalmazási területtől függően – helyi eszközökhöz vagy nagy teljesítményű adatközpontokhoz – célzott hardveres megoldásokat kínálna.
- A zNAND-O a helyi AI-alkalmazások energiahatékonyságát helyezi előtérbe: négy vagy nyolc rétegbe rendezett, TSV-kapcsolatokkal összekötött chipeket használ.
- A zNAND-T a nagy teljesítményű adatközpontokat célozza, és a gyors adatmozgatást szolgáló High Bandwidth Flash (HBF) technológiára épít.
- A zNAND-I-t magas IOPS-értékekre optimalizálják, ami az AI-inferencia gyors, kis adatmennyiséget érintő műveleteinél fontos.
- A Samsung ezzel az SK Hynixhez hasonló, specializált NAND-típusokat fejlesztő stratégiát követ, ami hosszabb távon fokozhatja a versenyt az AI-adattárolási piacon és kiterjesztheti a NAND flash szerepét a hagyományos SSD-alkalmazásokon túlra.
- A három típus közül eddig csak a zNAND-O-t mutatták be hivatalosan, a többi változat fejlesztése még korai szakaszban tart.
